[EPC] 宜普电源转换公司(EPC)推出100 V氮化镓(eGaNR)功率电晶体 --尺寸比等效矽元件小30倍及工作在500 kHz频率时可实现97%效率



发布日期:2018-09-12

专为功率系统设计师而设的EPC2051功率电晶体是一种100 V、25 mΩ并采用超小型晶片级封装的电晶体,可实现37 A脉冲输出电流。EPC2051是多种应用的理想元件,包括48 V功率转换器、雷射雷达及LED照明等应用。

(EPC)宣布推出100 V的氮化镓场效应电晶体,其占板面积只是1.1平方毫米、最大导通阻抗(RDS(on))为25 mΩ及脉冲输出电流高达37 A, 可以支援高效功率转换。

要求更高的效率及更高的功率密度的应用现在不需要选择小尺寸还是高性能了,因为可以同时实现小尺寸及高性能! EPC2051的尺寸只是1.3毫米乘0.85毫米(1.1平方毫米)。虽然EPC2051的占板面积小,它工作在50 V–12 V降压转换器、500 kHz开关及4 A输出电流时可实现97%效率!此外,低成本的EPC2051与等效矽MOSFET的成本可比。受惠于EPC2051的高性能、小尺寸及低成本优势的应用包括面向运算及通信系统、雷射雷达、LED照明及D类音频放大器的具备48 V输入电压的功率转换器。

宜普电源转换公司首席执行长Alex Lidow说:“氮化镓(eGaN)元件工作在高频下可以实现高效率,在性能及成本方面得以扩大与等效矽基元件的绩效差距。此外,100 V的氮化镓场效应电晶体比等效MOSFET小型化30倍!”

开发板

开发板的元件的最大电压为100 V、半桥式、采用电晶体及uPI半导体公司的闸极驱动器(uPI1966A)。开发板的尺寸为2英寸乘2英寸(50.8毫米乘50.8毫米),专为最高开关性能而设,而且包含所有重要元件,使得工程师可以易于对100 V的EPC2051 eGaN FET进行评估。

价格及供货

eGaN FET在批量为1,000片时的单价为0.67美元,如果批量是100,000片,其单价为0.37美元。 开发板的单价为118.75美元。所有产品都可以立即从威健实业股份有限公司购买

宜普电源转换公司简介

宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓的功率管理元件的领先供应商,为首家公司推出替代功率MOSFET元件的矽基增强型氮化镓(eGaN)场效应电晶体及积体电路,其目标应用包括 、、、、, and 等应用,元件性能比最好的矽功率MOSFET元件高出很多倍。此外,宜普公司正在扩大基于eGaN IC的产品系列,为客户提供进一步节省占板面积、节能及节省成本的解决方案。详情请访问我们的网站,网址为

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商标

eGaNR 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。

联络人

宜普电源转换公司(EPC):Winnie Wong (winnie.wong@epc-co.com)